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Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
150 ℃
25 ℃
10
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
0.5
0.4
0.3
0.2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
V GS = 20V
1
0
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
0.1
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Note :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
30
60
90
120
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
4000
3200
2400
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
1600
800
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 27 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF27N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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